Publication list

Journal papers

T. Mietzner, J. Jakumeit, U. Ravaioli, Local Iterative Monte Carlo analysis of electron-electron interaction in short-channel Si-MOSFETs, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 2001, S. 2323

J. Jakumeit, U. Ravaioli, Semiconductor transport simulation with the Local Iterative Monte Carlo Technique, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 2001, S. 946

J. Jakumeit, Computational Aspects of the Local Iterative Monte Carlo Technique, Int. J. Mod. Phys. C, 11, 2000, S. 665

M. Hauke, J. Jakumeit, B. Krafft, G. Nimtz, A. Förster, H. Lüth, Dx centers in
Al$$_0.3Ga$$_0.7 As/GaAs analysed by point contact measurement, J. Appl. Phys. 84, 1998, S. 2034

A. Duncan, U. Ravaioli, J. Jakumeit, Full-Band Monte Carlo Investigation of Hot Carrier Trends in the Scaling of Metal-Ocide-Semiconductor Field-Effect Transistors, IEEE Trans. Electron Devices, 45, 1998, S. 867

J. Ren, G. Nimtz, J. Jakumeit, R, Wollrab, Carrier Freezeout in n-on-p Hg$$_0.7Cd$$_0.3Te photodiode and acceptor level determination, Appl. Phys. A 65, 1997, S. 325

J. Jakumeit, U. Ravaioli, K. Hess, Calculations of hot electron distributions in silicon by means of an evolutionary algorithm, J. Appl. Phys. 80, 1996, S. 5061

J. Jakumeit, Genetic algorithms: a new approach to energy balance equations, Appl. Phys. Letters 66, 1995, S. 1812

J. Jakumeit, Elektroneninterferenzeffekte und Energierelaxation in HgCdTe, Doktorarbeit an der Universität Köln, Shaker Verlag Aachen, 1994

J. Jakumeit, M. Tutt, D. Pavlidis, Quantum State Transfer In Double Quantum-Well Devices, J. Appl. Phys. 76, 1994, 7428

J. X. Huang, G. Barut, J. Lange, Electron Traps in Wide-Gap n- Hg$$_0.3Cd$$_0.7Te Charakterized by Time-Resolved Photoconductivity, Appl. Phys. A 57, 1993, 427

G. Nimtz, J. X. Huang, J. Lange, L. Mester, H. Spieker, Electron wave interference effects in CMT and quantum-size devices, Semicond. Sci. Technol. 6, 1991, C130

J. X. Huang, J. Lange, G. Nimtz, H. Spieker, M. Mester, Double Dimensional Crossovers of Nonclassical Conductivity, Phys. Rev. Lett. 67, 1991, S. 2705

J. Schilz, J. Lange, L. Mester, G. Nimtz, Nonclassical Conductivity in a Bulk Semiconductor up to 35 K, Z. Physik B 81, 1990, S. 381

Conferenc contributions with referenced paper

J. Jakumeit, U. Ravaioli, Influence of electron-electron scattering on the hot electron distribution in ultra-short Si-MOSFETs , 12th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS-12), Santa Fe, 2001, accepted for Physica B

T. Mietzner, J. Jakumeit, U. Ravaioli, Effects of electron-electron interaction on electron distributions in short Si-MOSFETs, 7th International Workshop on Computational Electronics, Glasgow, 2000, accepted for VLSI DESIGN

J. Jakumeit, T. Mietzner, U. Ravaioli, Efficient silicon device simulation with the Local Iterative Monte Carlo method, 7th International Workshop on Computational Electronics Glasgow 2000, accepted by VLSI DESIGN

J. Jakumeit, T. Sontowski, U. Ravaioli, Iterative Local Monte Carlo TEchnique for the Simulation of Si-MOSFETs, Proceedings of the 6th International Workshop on Computational Electronics, Osaka, 1998

J. Jakumeit, A. Duncan, U. Ravaioli, K. Hess, Calculation of the high energy tail of the distribution in Si MOSFETs with an evolutionary algorithm, 10th International Conference on Nonequilibrium Carriers in Semiconductors (HCIS X), Berlin, 1997, Physica Status solidi b 204, 1997, S. 517

J. Jakumeit, A. Duncan, U. Ravaioli, K. Hess, Simulation of Si-MOSFETs with the Mutation Operator Monte Carlo Method, 5th International Workshop on Computational Electronics (Notre Dame 1997), VLSI DESIGN 8, 1998, S. 343

J, Jakumeit, Evolutionary algorithms for the calculation of electron distributions in Si-MOSFETs, IV. International Conference on Parallel Problem Solving from Nature (Berlin 1996), Lecture Notes in Computer Science 1141, Springer Verlag, 1996, S. 819

J. Jakumeit, U. Ravaioli, K. Hess, New approach to hot electron effects in Si-MOSFETs based on an evolutionary algorithm using a Monte Carlo like mutation operator, 4th International Workshop on Computational Electronics (Tempe 1995), VLSI-Design 6, 1998, S. 307

J. Jakumeit, J. P. Rakotoniaina, G. Nimtz, Electron Transport Analysed by Genetic Algorithms, Proceedings of the 22st International Conference on the Physics of Semiconductors, Vancouver, USA (1994),

J. Lange, H. Spieker, J. X. Huang, G. Nimtz, L. Mester, Temperature induced double dimensional crossovers in bulk Hg$$_0.8Cd$$_0.2Te , Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of Semiconductors, Beijing, China 1992, S. 1499

Conferenc contributions without referenced paper

J. Jakumeit, U. Ravaioli, Local Iterative Monte Carlo investigation of the influence of electron-electron scattering on short channel Si-MOSFETs, Proceedings of the International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) in Athens, Greece, 2001
in Simulation of Semiconductor PRocesses and Devices , D.~Tsoukalas, C.~Tsamis editors, Springer, Wien, 2001, S. 38

J. Jakumeit, Simulation of electron-electron scattering in semiconductor devices by the local iterative Monte Carlo technique , Proceedings of the europhysics conference on computational physics, Aachen, Germany, 2001

J. Jakumeit, Bestimmung der energetischen Verteilung hei"ser Ladungsträger in HgCdTe mit Hilfe Genetischer Algorithmen, 59. Physikertagung der DPG, Berlin, 1995

J. Ren, R. Wollrab, J. Jakumeit, G. Nimtz, Hg$$_1-xCd$$_xTe (x=0.2) Infrarot-Heterodyn-Empfänger, 59. Physikertagung der DPG, Berlin, 1995

B. Krafft, J. Jakumeit, G. Nimtz, H. Lüth, Punktkontakte in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen als Photodetektoren 59. Physikertagung der DPG, Berlin, 1995

J. X. Huang, G. Barut, J. Lange, G. Nimtz, Electron Traps in Wide-Gap n- Hg$$_0.3Cd$$_0.7Te Charakterized by Time-Resolved Photoconductivity, 13th General Conference of the Condensed Matter Division European Physical Society, Regensburg, Germany, 1993

J. Lange, M. Tutt, D. Pavlidis, Hei"se Ladungsträger in Double-Quantum-Well Strukturen, Frühjahrstagung des Arbeitskreis Festkörperphysik der DPG Regensburg 1992, Regensburg, Germany, 1992

J. X. Huang, J. Lange, L. Mester, G. Nimtz, H. Spieker , Zweifacher Dimensionalitätsübergang der nicht-klassischen Leitfähigkeit in n- Hg$$_0.8Cd$$_0.2Te , Frühjahrstagung des Arbeitskreis Festkörperphysik der DPG Regensburg 1992, Regensburg, Germany, 1992

J. Lange, J. X. Huang, H. Spieker, G. Nimtz, L. Mester, Double Dimensional Crossovers in CMT-micrometer Structures 22. IR-Kolloquium im Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, Freiburg, Germany, 1992

J. Lange, J. Schilz, J. X. Huang, G. Nimtz, L. Mester, D. Chattopadhyay, Electron-Electron Interaction: A New Possibility to Determin , 55. Physikertagung Münster, Münster, Germany, 1991

G. Galeczki, J. Lange, G. Nimtz, 4-Punkt Magnetowiderstands-Plateaus "`dünner"' HgCdTe-Proben, 55. Physikertagung Münster, Münster, Germany, 1991

J. Schilz, J. Lange, L. Mester, G. Nimtz, Nicht klassische Leitfähigkeit in
Hg$$_0.8Cd$$_0.2Te , 55. Physikertagung Münster, Münster, Germany, 1991

J. Schilz, J. Lange, G. Nimtz, G. Galeczki, Influence of Quantum Effects on Photoconductor Properties, Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Japan, 1990

Talks

Moderne Verfahren zur Simulation des Ladungstransportes in Halbleitern, Forschungsseminar Wissenschaftliches Rechnen, Institut für Algorithmen und wissenschaftliches Rechnen, GMD-Deutsches Forschungszentrum Informationstechnologie, 20.10.99

Mutation Operator Monte Carlo Simulation of Si-MOSFETs, Seminar des Instituts für Integrierte Systeme, ETH Zürich, 8.2.98

Berechnung der Elektronenverteilung in Si-MOSFETs mittels Optimierung und Monte Carlo Verfahren, Seminar am Institut für Theoretische Elektrotechnik und Mikroelektronik, Universität Bremen, 20.1.98

Calculation of the high energy tail of the electron distribution in Si-MOSFETs with an evolutionary algorithm, ETH Zürich, 12.8.97

Berechnung der Elektronenverteilung in Si-MOSFETs mit evolutionären Algorithmen, Mikroelektronik-Kolloquium, Lehrstuhl Bauelemente der Elektrotechnik, Universität Dortmund, 5.7.96

Berechnung der Elektronenverteilung in Si-MOSFETs mit evolutionären Algorithmen, Seminar: Anwendung des genetischen Programmierens und von Artifical Life, Universität Dortmund, 22.4.96

Evolutionäre Algorithmen zur Berechnung der Verteilung hei"ser Elektronen in Si-MOSFETs, Seminar des Instituts für Schicht und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, 25.1.96